Samsung och IBM har tillkännagivit ett nytt sätt att placera transistorer vertikalt på chipp istället för horisontellt. Tekniken kallas Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) och är tänkt att ersätta dagens FinFET. De två företagen påstår att VTFET kommer föra med sig enorma fördelar: dubblerad prestanda eller 85 procent lägre energiförbrukning. Samsung och IBM föreställer […]

Läs vidare: "Samsung och IBM utlovar längre batteritider genom ny chippdesign"