Samsung börjar massproducera 20nm 6Gb LPDDR3-DRAM

Postat:
13:32 - 2014-09-19
Skribent:
| Lars A
Kommentarer:
8

Sydkoreanska elektronikjätten Samsung har börjat massproducera 6Gb (0,75GB) stora LPDDR3 DRAM-moduler med 20nm-tillverkningsteknik. Enligt Samsung kommer nya minnet förlänga batteritiden och snabba upp laddningen av applikationer på enheter med stora skärmar och höga upplösningar, som företagets Note-serie.

Ett 3GB-paket består av fyra moduler och kommer enligt utsago användas i många olika typer av mobila enheter. Nya 3GB-paketen är 20 % mindre och 10 % mer energieffektiva än dagens motsvarigheter, som exempelvis arbetsminnet på 3GB i Galaxy Note 4.

Flytten ner till 20 nanometer ska även innebära en produktivitetsökning på 30 %.

Our new 20nm 6Gb LPDDR3 DRAM provides the most advanced mobile memory solution for the rapidly expanding high-performance mobile DRAM market.

We are working closely with our global customers to offer next-generation mobile memory solutions that can be applied to a more extensive range of markets ranging from the premium to standard segments. Jeeho Baek, Samsung

Skriv fritt men var god följ vår kommentarspolicy. Tack!

Mest kommenterat

  1. RAM-bristen fortsätter enligt IDC – höjer smartphonepriserna
  2. Pirataktivister ”säkerhetskopierade” Spotify och stal 86 miljoner låtar
  3. Vissa Pixel-ägare har fått en till uppdatering i december
  4. Stort lyft att kunna ta bort ”At a glance” i Pixel Launcher
  5. God jul önskar Swedroid
  6. Oneplus Turbo kan erbjuda 9000 mAh och 144 Hz

Mest läst

  1. Google kan låta oss ändra våra Gmail–adresser utan att bli av med något
  2. Stort lyft att kunna ta bort ”At a glance” i Pixel Launcher
  3. Oneplus Turbo kan erbjuda 9000 mAh och 144 Hz
  4. Google släpper Android 16 QPR3 beta 1.1 för Pixel
  5. Pirataktivister ”säkerhetskopierade” Spotify och stal 86 miljoner låtar
  6. RAM-bristen fortsätter enligt IDC – höjer smartphonepriserna

  7. Visa topplistan

Undersökningar

Vilken är årets Androidtelefon 2025?

Visa resultatet

Loading ... Loading ...