Samsung har för första gången börjat massproducera 512GB eUFS 3.1-lagring för användning i smarta mobiler. Enligt Samsungs pressrelease erbjuder det nya minnet tre gånger så höga skrivhastigheter som den befintliga 512GB eUFS 3.0-lagringen.

Minnet når sekventiella skrivhastigheter på 1200MB/s. Samsung skriver som exempel att det bara tar runt 90 sekunder att föra över 100GB. Den slumpmässiga prestandan har ökats med upp till 60 procent gentemot UFS 3.0, med runt 100 000 IOPS för skrivning och 70 000 IOPS för läsning.

Den nya eUFS 3.1-lagringen kommer inte bara att tillhandahållas i 512GB, utan även i kapaciteterna 256GB och 128GB i flaggskeppstelefoner senare i år. Galaxy Note 20 är en het kandidat att få det nya snabbare minnet.