Samsung har börjat massproducera tredje generationens 16Gb LPDDR5 DRAM i sin fabrik i Pyeongtaek, Sydkorea. Minnet är EUV-baserat (”extreme ultraviolet”) och använder 10nm tillverkningsteknik.

Enligt Samsung är de först ut med att massproducera ett minne som använder EUV-teknik. Med sina 6400 Mb/s är det nya minnet cirka 16 procent snabbare än LPDDR5-minnet som sitter i de flesta av dagens flaggskepp.

När minnet kombineras till ett 16GB-paket ska det kunna överföra 51,2GB data på en sekund. Genom 1z-processen har minnet blivit 30 procent tunnare än sin föregångare, vilket ger mer utrymme till annat i konstruktionerna.