Samsung har idag meddelat att företaget är först ut att producera chipp som baseras på 3nm tillverkningsteknik, före konkurrerande aktörer likt Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC).

Samsung använder transistorarkitekturen ”Gate-All-Around” (GAA) vid tillverkningen. Nya tekniken minskar enligt Samsung energiförbrukningen med 45 procent samtidigt som prestandan förbättras med 23 procent, jämfört med 5nm. Själva ytan har dessutom minskats med 16 procent, så chippen tar upp mindre plats i konstruktionerna.

Motsvarande siffror för kommande andra generationens 3nm-process är 50 procent, 30 procent och 35 procent. Sydkoreas största företag berättar dock inte hur stora förbättringarna är i förhållande till den 4nm-process som använts i årets systemkretsar för flaggskeppen.

I början fokuserar Samsung på mer specialiserade användningsområden men kommer därefter utnyttja 3nm för mobilprocessorer.