Samsung skriver idag i ett pressmeddelande att de utvecklat branschens första 8Gb LPDDR5 DRAM med 10nm tillverkningsteknik. Elektronikjätten menar samtidigt att de var först med att massproducera 8Gb LPDDR4 år 2014.

De nya minnena har datahastigheter upp till 6400 Mb/s, vilket är 1,5 gånger snabbare än de LPDDR4x-chipp som används i flaggskeppsmobiler idag. Enligt Samsung kan minnet skicka 51,2GB på en sekund.

Det tillhandahålls i två bandbredder: 6400Mb/s (1,1V) och 5500Mb/s (1,05V). Utöver högre prestanda erbjuder chippen upp till 30 procent lägre energiförbrukning – bland annat annat genom ett djupsömnsläge som halverar energiförbrukningen jämfört med dagens LPDDR4 i samma passiva läge.

Samsung har satt ihop ett RAM-paket med 8GB, genom att kombinera åtta 8Gb-chipp. Massproduktion inleds i Samsungs fabrik i Pyeongtaek, Sydkorea.

This performance advancement has been made possible through several architectural enhancements. By doubling the number of memory “banks” – subdivisions within a DRAM cell – from eight to 16, the new memory can attain a much higher speed while reducing power consumption.

The 8Gb LPDDR5 also makes use of a highly advanced, speed-optimized circuit architecture that verifies and ensures the chip’s ultra-high-speed performance.