Samsung och IBM utlovar längre batteritider genom ny chippdesign

Postat:
09:55 - 2021-12-15
Skribent:
Lars A
Kommentarer:
Samsung och IBM har tillkännagivit ett nytt sätt att placera transistorer vertikalt på chipp istället för horisontellt. Tekniken kallas Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) och är tänkt att ersätta dagens FinFET.
De två företagen påstår att VTFET kommer föra med sig enorma fördelar: dubblerad prestanda eller 85 procent lägre energiförbrukning. Samsung och IBM föreställer sig smartphones som kan hålla igång i en vecka på en laddning istället för ett par dagar.

Andra komponenter, som exempelvis skärm och positioneringstjänster, kan dock stå för en så pass stor del av energiförbrukningen i en telefon att det kan bli svårt att förlänga batteritiden markant bara genom förbättringar av systemkretsen.

När vi kan tänkas få se tekniken på marknaden framgår inte men det kommer sannolikt dröja innan de första mobilerna med VTFET släpps.

Mest kommenterat

  1. USA har en annan meddelande-marknad än övriga världen
  2. Ge oss USB-C för allt [Opinion]
  3. Samsung uppdaterar fler telefoner till Android 12
  4. OnePlus 6 och 6T har nått slutstationen för uppdateringar
  5. Vi testar strömningstjänsten Paramount Plus
  6. Rapport: Alla Iphone 14-modeller har 120Hz, ingen mer Mini

Mest läst

  1. NetOnNet börjar hyra ut hemelektronik
  2. Samsung uppdaterar fler telefoner till Android 12
  3. Rapport: Alla Iphone 14-modeller har 120Hz, ingen mer Mini
  4. Ge oss USB-C för allt
  5. Hela Galaxy Tab S8-serien avslöjas – påkostade plattor från Samsung
  6. USA har en annan meddelande-marknad än övriga världen

  7. Visa topplistan

Undersökningar

Föredrar du runda eller rektangulära smartklockor?

Visa resultatet

Loading ... Loading ...

Undersökningar

Sweclockers RSS

Senaste nyheterna om