Samsung och IBM utlovar längre batteritider genom ny chippdesign

Postat:
09:55 - 2021-12-15
Skribent:
Lars A
Kommentarer:
Samsung och IBM har tillkännagivit ett nytt sätt att placera transistorer vertikalt på chipp istället för horisontellt. Tekniken kallas Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) och är tänkt att ersätta dagens FinFET.
De två företagen påstår att VTFET kommer föra med sig enorma fördelar: dubblerad prestanda eller 85 procent lägre energiförbrukning. Samsung och IBM föreställer sig smartphones som kan hålla igång i en vecka på en laddning istället för ett par dagar.

Andra komponenter, som exempelvis skärm och positioneringstjänster, kan dock stå för en så pass stor del av energiförbrukningen i en telefon att det kan bli svårt att förlänga batteritiden markant bara genom förbättringar av systemkretsen.

När vi kan tänkas få se tekniken på marknaden framgår inte men det kommer sannolikt dröja innan de första mobilerna med VTFET släpps.

Mest kommenterat

  1. Varför slutade du med ROM:ar?
  2. Fler pressbilder på svarta Nothing Phone 1
  3. 5T var höjden för OnePlus [Opinion]
  4. Här är Xiaomi 12S Ultra med imponerande ny kamera
  5. Xiaomi 12S Ultra har enorm kamerasensor
  6. Samsung lanserar Xcover 6 Pro – en stryktålig mobil med 120Hz och löstagbart batteri

Mest läst

  1. Samsung lanserar Xcover 6 Pro – en stryktålig mobil med 120Hz och löstagbart batteri
  2. Webbutik listar euro-priser för Nothing Phone 1
  3. Nokia presenterar G11 Plus med klassisk fingeravtrycksläsare och ”tre dagars batteritid”
  4. Xiaomi 12S Ultra har enorm kamerasensor
  5. Nothing Phone 1 kan få ett instegspris på runt 400 dollar
  6. Fler pressbilder på svarta Nothing Phone 1

  7. Visa topplistan

Undersökningar

Vad är främsta anledningen till att du slutade med ROM:ar [välj upp till två]?

Visa resultatet

Loading ... Loading ...

Undersökningar

Sweclockers RSS

Senaste nyheterna om